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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor99185-24￥1.620025-49￥1.500050-99￥1.4160100-499￥1.3800500-2499￥1.35602500-4999￥1.32605000-9999￥1.3140≥10000￥1.2960 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor74395-24￥2.457025-49￥2.275050-99￥2.1476100-499￥2.0930500-2499￥2.05662500-4999￥2.01115000-9999￥1.9929≥10000￥1.9656 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor84375-24￥2.605525-49￥2.412550-99￥2.2774100-499￥2.2195500-2499￥2.18092500-4999￥2.13275000-9999￥2.1134≥10000￥2.0844 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor12565-24￥1.917025-49￥1.775050-99￥1.6756100-499￥1.6330500-2499￥1.60462500-4999￥1.56915000-9999￥1.5549≥10000￥1.5336 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor30525-24￥2.781025-49￥2.575050-99￥2.4308100-499￥2.3690500-2499￥2.32782500-4999￥2.27635000-9999￥2.2557≥10000￥2.2248 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor85765-24￥2.605525-49￥2.412550-99￥2.2774100-499￥2.2195500-2499￥2.18092500-4999￥2.13275000-9999￥2.1134≥10000￥2.0844 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor444920-49￥0.391550-99￥0.3625100-299￥0.3480300-499￥0.3364500-999￥0.32771000-4999￥0.32195000-9999￥0.3161≥10000￥0.3103 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor12225-24￥2.565025-49￥2.375050-99￥2.2420100-499￥2.1850500-2499￥2.14702500-4999￥2.09955000-9999￥2.0805≥10000￥2.0520 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor59355-24￥2.227525-49￥2.062550-99￥1.9470100-499￥1.8975500-2499￥1.86452500-4999￥1.82335000-9999￥1.8068≥10000￥1.7820 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor70185-24￥2.457025-49￥2.275050-99￥2.1476100-499￥2.0930500-2499￥2.05662500-4999￥2.01115000-9999￥1.9929≥10000￥1.9656 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor99655-24￥2.781025-49￥2.575050-99￥2.4308100-499￥2.3690500-2499￥2.32782500-4999￥2.27635000-9999￥2.2557≥10000￥2.2248 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor42995-24￥2.457025-49￥2.275050-99￥2.1476100-499￥2.0930500-2499￥2.05662500-4999￥2.01115000-9999￥1.9929≥10000￥1.9656 -
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品类: TVS二极管描述: 1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于10V UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor36765-24￥2.011525-49￥1.862550-99￥1.7582100-499￥1.7135500-2499￥1.68372500-4999￥1.64655000-9999￥1.6316≥10000￥1.6092
